]article_adlist-->前言：
AI大模型、HPC、5G通信等场景对芯片算力、带宽和能效的需求呈指数级增长，半导体行业正迎来一场深刻的产业变革。
先进封装技术从芯片的[保护壳]摇身一变，成为决定系统级性能的核心竞争力，一场围绕千亿美金市场的[芯]战争已然打响。
作者 | 方文三
图片来源 |网 络
先进封装千亿市场的增长逻辑
据Yole Group数据，2024年全球先进封装市场规模约为450亿美元，预计将以9.4%的复合年增长率强劲增长，到2030年达到约800亿美元。
另一机构QYResearch则指出，2025年全球集成电路封装市场中，先进封装占比将首次超过50%，标志着封装技术正式进入新时代。
驱动市场增长的核心动力来自三大场景：
①AI芯片与HPC的爆发式需求，GPU、AI ASIC等核心器件必须通过先进封装集成HBM，才能突破[内存墙]限制。
②消费电子的高端化升级，智能手机、平板等设备对芯片小型化、低功耗、高性能的要求持续提升。
③Chiplet技术的成熟，通过将大芯片拆分为多个小芯片再集成，大幅降低先进制程的研发与制造成本，缩短产品上市周期。
从细分领域来看，2.5D/3D封装成为增长最快的赛道，预计到2028年将飙升至258亿美元，复合年增长率高达18.7%。
而倒装芯片封装凭借成熟的工艺和成本优势，目前仍占据先进封装51%的市场份额，形成传统先进封装稳基、2.5D/3D封装领航的市场格局。
三巨头争霸的技术路线与战略博弈
在先进封装赛道，台积电、英特尔、三星凭借各自的技术积累和战略布局，形成了差异化的竞争优势，共同主导全球高端市场。
这场竞争早已超越单一工艺的比拼，而是算力架构、供应链安全、资本开支和生态绑定的综合博弈。
台积电：台积电在先进封装领域的领先地位，与其在晶圆代工领域的霸权一脉相承。
通过CoWoS、InFO、SoIC三大核心技术构建的3D Fabric平台，台积电实现了对从消费电子到AI/HPC全场景的覆盖，成为全球头部芯片设计企业的首选合作伙伴。
作为台积电2.5D封装的核心技术，CoWoS堪称高带宽王者。目前，英伟达H100、H200、GB200系列GPU，AMD MI300系列，Broadcom AI ASIC等高端产品均采用CoWoS或其衍生版本。
在技术迭代上，台积电推出CoWoS-S/R/L三个版本，最新的CoWoS-S5技术已将中介层面积拓展至2400mm²，支持8颗HBM3内存与2颗SoC芯片集成，内存带宽高达5.3TB/s。
CoWoS的成熟度无可替代，但也面临三大核心痛点：
①产能严重不足，被英伟达长期锁死。外媒估计，英伟达一家就占用CoWoS超过一半的产能，瑞银预测2026年其对CoWoS晶圆的需求量将达67.8万片，较2025年增长近40%。
加上AMD、Broadcom等客户的需求，CoWoS已进入排队周期>产品生命周期的极端状态，苹果、高通等企业面临"排不到队"的被动局面。
②成本高昂，大尺寸硅中介层占据封装BOM成本的50%-70%，部分客户出现"封装比芯片本体更贵"的情况。
③热密度管理难题，随着HBM堆叠数量增加，封装区热点进一步集中，给散热带来巨大压力。
英特尔：长期以来，英特尔在制程节点上的落后掩盖了其在先进封装领域的深厚积累。
作为最早布局先进封装的企业之一，英特尔以EMIB和Foveros双平台为核心，构建了覆盖2.5D、3D及混合架构的多元化工艺体系，凭借灵活性、成本优势和本土供应链，成为台积电之外的重要替代选项。
EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）的核心创新在于嵌入式硅桥设计，不使用覆盖整个封装的大中介层，仅在需要高速互联的局部区域嵌入小尺寸硅桥，其他区域通过基板互连。
这种按需部署的架构带来四大优势：
①成本上，硅桥面积小、晶圆利用率高，较CoWoS大幅降低制造成本。
②性能上，避免了大中介层带来的额外阻抗与噪声，保障电源完整性。
③灵活度上，适合定制ASIC、小型Chiplet等多样化需求。
④散热上，局部互联设计便于热量散发。
目前，苹果和高通近期寻找熟悉EMIB技术的工程师和产品管理人才，标志着英特尔封装技术首次进入全球顶级芯片设计企业的审视窗口。
英特尔还在持续扩展EMIB组合，EMIB-M集成MIM电容增强电源传输能力，EMIB-T加入硅通孔（TSV）支持HBM4集成，信号传输速度达32Gb/s。
而EMIB 3.5D技术在单一封装内实现多个3D堆叠模块的高速互连，英特尔数据中心GPU Max系列SoC就采用该技术，集成超过千亿个晶体管和47个有源模块。
英特尔的另一大优势在于本土供应链布局，其在美国新墨西哥州、俄亥俄州、加州等地建设先进封装生产基地。
对于美国本土云厂商、AI芯片企业而言，本土生产+高度可控+不依赖东亚封装的供应链安全优势，远大于单纯的成本因素。
此外，英特尔近期研发的集成散热器分解式设计，可减少30%的翘曲现象，降低25%的热界面材料空洞率，为超大面积封装芯片提供了更优的散热解决方案。
三星：与台积电和英特尔相比，三星在先进封装领域的存在感相对较弱，但凭借在存储领域的优势和差异化技术路线，正加速突围。
三星的战略核心是从HBM供应链反向切入，如果其HBM能满足英伟达等头部客户需求，就能在封装路线选择和系统架构协同上获得更大话语权。
三星的先进封装技术体系分为2.5D的I-Cube和3D的X-Cube两大系列。
I-Cube S采用硅中介层设计，与台积电CoWoS-S架构同源，具备高带宽、高性能优势，适合大功耗芯片。
I-Cube E则借鉴英特尔EMIB技术，采用硅桥+RDL中介层的混合架构，在平衡性能与成本的同时提升良率。
衍生的H-Cube通过ABF基板与HDI基板结合，支持更大尺寸封装与多功能芯片集成。
X-Cube作为三星3D封装的核心，通过TSV技术实现芯片垂直电气互连，分为凸点互连和混合键合两种工艺路径。
其中，混合键合方案采用铜-铜直接键合，三星正推进低于4微米的超精细连接规格，以实现更高密度的3D堆叠。
此外，三星还构建了SAINT技术体系，专为存储与逻辑芯片协同封装设计，其中SAINT-D技术实现HBM的12层垂直堆叠，消除了对硅中介层的依赖，大幅提升集成效率。
在下一代技术竞争中，三星押注SoP（System on Panel）技术，试图通过差异化路径挑战台积电霸权。
SoP的核心创新在于采用415mm×510mm的超大尺寸长方形面板作为封装载体，远超传统12英寸晶圆的有效利用面积，可容纳240mm×240mm以上的超大型半导体模块。
技术架构上，SoP省去PCB和硅中介层，通过精细铜RDL实现芯片间直接通信，显著提升集成度并降低成本。
三星的SoP技术直接对标台积电的SoW技术，目前已斩获特斯拉165亿美元AI6芯片代工订单，若能解决边缘翘曲、量产稳定性等难题，有望将封装环节纳入合作范围。
产业从技术比拼到生态博弈
传统封装市场由日月光、安靠等OSAT厂商主导，但在先进封装领域，格局已彻底改变。
台积电、英特尔、三星等IDM和晶圆代工厂凭借设计-制造-封装的协同优势，占据了高端市场的主导地位。
OSAT厂商并未退出竞争，而是通过与巨头合作、技术升级寻求生存空间。
客户的供应链策略也发生显著变化，为避免单一供应商风险，苹果、高通等企业开始评估多供应商方案，英特尔EMIB技术成为台积电CoWoS的重要Plan B。
英伟达等大客户则通过长期协议、预付款锁定产能，2025年第三季度英伟达长期供应义务增至69亿美元，支付16.4亿美元预付款保障CoWoS产能。
这种主供+备用的多元化供应链策略，将成为未来行业的常态。
随着芯片复杂度提升，单一封装技术已无法满足需求，异构集成成为行业发展的核心方向。
台积电的3DFabric平台、英特尔的EMIB+Foveros组合、三星的I-Cube+X-Cube体系，本质上都是为了实现不同工艺、不同功能芯片的高效集成。
结尾：新技术+新挑战的未来战场
从专利布局来看，国内企业已在硅中介层和热管理解决方案领域实现专利反超，2025年相关专利申请量占全球42%，为技术突破奠定了基础。
随着长电科技、通富微电等企业的技术成熟和产能扩张，国产先进封装正从消费电子、工业控制等中端市场，向AI、HPC等高端市场渗透。
长电科技、通富微电、华天科技等龙头企业跻身全球前十大OSAT，2024年国内先进封装市场规模达698亿元，同比增长18.7%，展现出强劲的发展势头。
不过，台积电凭借CoWoS技术掌控高端市场话语权，英特尔以灵活性和本土供应链分流客户，三星通过差异化路线寻求突破，三巨头的博弈将持续重塑全球市场格局。
部分资料参考：半导体行业观察：《大芯片封装，三分天下》，《三大巨头的先进封装技术对比》，SiP与先进封装技术：《先进封装技术解读|英特尔》，摩尔芯球：《后摩尔时代，先进封装迈向“C位”》，半导体产业纵横：《先进封装的产业逻辑，已经变了》
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